Elektron silikon nitrid filmlari kimyoviy bug 'quyish yoki plazma yaxshilangan kimyoviy bug' tushirilishi natijasida ishlab chiqariladi:
3 SIH4 (G) + 4 NH3 (G) → Si3n4 (s) + 12 H2 (g)
3 SICL4 (g) + 4 NH3 (G) → Si3n4 (s) + 12 HCL (G)
3 SICL2H2 (g) + 4 {g) + 6 + 6 H2 (g)
Agar kremniy nitridi yarimo'tkazgich substratiga yotqizilgan bo'lsa, ikkita usul mavjud:
1.
Vertikal yoki gorizontal naychadagi vertikal yoki gorizontal naychada nisbatan yuqori haroratda past bosimli kimyoviy bug 'bug'ini ishlating.
2.
Vakuumdagi nisbatan past haroratlarda plazma yaxshilangan kimyoviy bug 'tushirilishi.
Silikon nitridning birlikdagi hujayra parametrlari elementar kremniydan farq qiladi. Shunday qilib, oqib chiqadigan kremniy nitrid plyonkasida cho'kish usuliga qarab, kuchlanish yoki stressga ega. Xususan, plazmani yaxshilangan kimyoviy bug'i quyilgan bo'lsa, cho'kish parametrlarini sozlash orqali keskinlikni kamaytirish mumkin.
Silikon dioksidi birinchi bo'lib Sol-Gel usuli bilan tayyorlanadi, shundan keyin ultrafin uglerod zarralarini o'z ichiga olgan silika gelni kremnotiv nitridi olish uchun karbermallashtirish va nitridraft bilan davolanadi. Sillia jelidagi ultfin uglerod zarralari 1200-1350} darajasida glyukozani ajratish orqali ishlab chiqariladi. Sinteziy jarayonida ishtirok etadigan reaktsiyalar quyidagilar bo'lishi mumkin:
SiO2 (S) + C (S) → SiO (g) + g)
3 SiO (g) + 2 + 3 {g) {g) {g) {g) + 3 co2 (g) yoki
3 SiO (g) + 2 + 3 C ({s) → si3n4 (s) + 3 co (g)
